Какие транзисторы используются для сварочных инверторов?
Сравнительно новое, но уже успевшее зарекомендовать себя с лучшей стороны, поколение транзисторов MOSFET создали на базе хорошо известных полевых транзисторов с изолированным затвором. Подавляющее большинство современных инверторов собрано на схемах с MOSFET транзисторами.
На смену им пытается пробиться новое поколение сварочных инверторов, собранных на транзисторах типа IGBT. Ранее транзисторы такого типа назывались биполярными с изолированным затвором. Сейчас они изготавливаются по инновационной технологии и считаются новым прогрессивным поколением.
MOSFET или IGBT
Очень важной характеристикой транзистора является максимальный ток, который он может пропустить через себя. У транзисторов MOSFET токи меньше в три – четыре раза. Соответственно, на инвертор одной мощности потребуется большое количество таких транзисторов. К транзисторам автоматически подтягивается такое же количество радиаторов, что делает аппарат тяжелее и дороже.
Далее начинают сказываться особенности схемотехники, связанные с большим количеством транзисторов. Из-за этого инверторы на MOSFET изготавливаются на трех платах, в отличие от одной платы в инверторах, собранных на транзисторах IGBT. А это дополнительные «дорожки», дополнительные десятки точек пайки и разъемы, которые не удешевляют аппарат и не прибавляют ему надежности.
Есть еще одна особенность, которая не очевидна для рядового пользователя, но хорошо понятна тем, кто когда-либо ремонтировал такие аппараты. Суть в том, что транзисторы MOSFET собраны каскадом и при пробое одного, неизбежно, выходят из строя другие.
Единственное преимущество, которое можно отметить у аппаратов на MOSFET, это проверенная временем схемотехника. В некоторых случаях, это может перечеркнуть все преимущества конкурента.